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Dioxyde de Hafnium
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Dioxyde de Hafnium Dioxyde de Hafnium

Dioxyde de Hafnium

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Formule chimique : HfO2 Pureté : 99,95 % ou plus Densité : 9,68 g/cm3 Indice de réfraction : 1,95 (550 mm) Point de fusion : 2810 ℃ Point d'ébullition : 5 400 ℃ Indice de réfraction : 2,13 (1 700 nm) Le dioxyde de hafnium possède d'excellentes propriétés optiques et est largement utilisé utilisé dans le domaine du revêtement optique, devenant ainsi le matériau à indice de réfraction élevé préféré pour la préparation de lasers de haute puissance
Description du produit

Le dioxyde d'hafnium est un solide blanc non toxique et inodore, insoluble dans l'eau, l'acide chlorhydrique et l'acide nitrique, soluble dans l'acide sulfurique concentré et l'acide fluorhydrique ;en raison de ses propriétés chimiques stables, de son point de fusion élevé, tandis que les atomes de hafnium ont une grande section efficace d'absorption, la capacité de capturer les neutrons, et donc davantage d'applications dans l'industrie de l'énergie atomique ;en raison de ses excellentes propriétés optiques, en particulier, il possède une bande de lumière transparente relativement large, dans la lumière à travers le film mince d'oxyde de hafnium, la lumière est moins absorbée.En raison de ses excellentes propriétés optiques, en particulier, il présente une bande de transparence à la lumière relativement large. Lorsque la lumière est transmise à travers le film d'oxyde de hafnium, l'absorption de la lumière est moindre, la majeure partie de la lumière est transmise à travers le film par réfraction. , il est donc largement utilisé dans le domaine du revêtement optique et est devenu le matériau à indice de réfraction élevé préféré pour la préparation de lasers de haute puissance. Domaines d'application : 1, matières premières de hafnium métallique et de ses composés, utilisées dans le nucléaire industrie ;2, matériaux réfractaires, revêtements anti-radioactifs et catalyseurs spéciaux ;3, matériaux de revêtement optique infrarouge ;4, matériaux structurels à haute température ;5, microélectronique, matériaux de dispositif à noyau semi-conducteur ;Caractéristiques de performance : le dioxyde d'hafnium 3N (HfO2) a une grande pureté (99,9, données de détection GDMS), petite taille de particules (1,0 um), grande surface spécifique, activité de surface et autres caractéristiques. Spécifications des plaques d'hafnium et d'alliage d'hafnium.

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